Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
30A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
420V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
16 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.7V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
9.35 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
Automotive Grade
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
30A
Тип продукции
БТИЗ (IGBT)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
420V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
16 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
1.7V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
9.35 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
Automotive Grade
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
