STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 30 A 420 V, 3-Pin TO-263, Surface

Код товара RS: 810-3485PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB18N40LZT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

30A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

420V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

16 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.7V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

Automotive Grade

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 30 A 420 V, 3-Pin TO-263, Surface
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 30 A 420 V, 3-Pin TO-263, Surface

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

30A

Тип продукции

БТИЗ (IGBT)

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

420V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

16 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

1.7V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

Automotive Grade

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.