STMicroelectronics STGB18N40LZT4 IGBT, 30 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 810-3485Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB18N40LZT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

420 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

16V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

тг 3 196,05

тг 639,21 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB18N40LZT4 IGBT, 30 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 196,05
10тг 6 392,10
15тг 9 588,15
20тг 12 784,20
25тг 12 851,25
30тг 15 421,50
35тг 17 991,75
40тг 20 562,00
45тг 23 132,25
50тг 25 702,50
55тг 28 272,75
60тг 30 843,00
65тг 33 413,25
70тг 35 983,50
75тг 38 553,75

тг 3 196,05

тг 639,21 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB18N40LZT4 IGBT, 30 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 196,05
10тг 6 392,10
15тг 9 588,15
20тг 12 784,20
25тг 12 851,25
30тг 15 421,50
35тг 17 991,75
40тг 20 562,00
45тг 23 132,25
50тг 25 702,50
55тг 28 272,75
60тг 30 843,00
65тг 33 413,25
70тг 35 983,50
75тг 38 553,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
5 - 20тг 639,21тг 3 196,05
25 - 95тг 514,05тг 2 570,25
100 - 245тг 420,18тг 2 100,90
250 - 495тг 411,24тг 2 056,20
500+тг 357,60тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

420 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

16V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.