STMicroelectronics STGB18N40LZT4 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
16V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsМаксимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
16V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.