STMicroelectronics ST901T NPN Darlington Transistor, 4 A 350 V HFE:500, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 810-3668Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: ST901T
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

500

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,8 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

500мкА

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Высота

6.2мм

Ширина

2.4мм

Размеры

6.6 x 2.4 x 6.2мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics ST901T NPN Darlington Transistor, 4 A 350 V HFE:500, 3-Pin TO-220
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics ST901T NPN Darlington Transistor, 4 A 350 V HFE:500, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
10 - 90P.O.A.
100 - 240P.O.A.
250 - 490P.O.A.
500 - 990P.O.A.
1000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

500

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,8 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

500мкА

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Высота

6.2мм

Ширина

2.4мм

Размеры

6.6 x 2.4 x 6.2мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.