STMicroelectronics ST901T Пара Дарлингтона

Код товара RS: 168-7874Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: ST901T
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

500

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,8 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

500мкА

Высота

6.2мм

Ширина

2.4мм

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Размеры

6.6 x 2.4 x 6.2мм

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics ST901T Пара Дарлингтона

P.O.A.

STMicroelectronics ST901T Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

500

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,8 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2 V

Максимальный запирающий ток коллектора

500мкА

Высота

6.2мм

Ширина

2.4мм

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Размеры

6.6 x 2.4 x 6.2мм

Длина

6.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.