Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
18 V, 24.2 V
Минимальное пробивное напряжение
12.3V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMA плоский
Максимальное обратное напряжение стабилизации
11V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
400W
Максимальный пиковый импульсный ток
21.8 A, 96 A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
4.6 x 2.9 x 1.05мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.05мм
Ширина
2.9мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Напряжение электрических разрядов
30кВ
Рабочее напряжение
11V
Емкость
150пФ
Длина
4.6мм
Страна происхождения
Morocco
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
18 V, 24.2 V
Минимальное пробивное напряжение
12.3V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMA плоский
Максимальное обратное напряжение стабилизации
11V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
400W
Максимальный пиковый импульсный ток
21.8 A, 96 A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
4.6 x 2.9 x 1.05мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.05мм
Ширина
2.9мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Напряжение электрических разрядов
30кВ
Рабочее напряжение
11V
Емкость
150пФ
Длина
4.6мм
Страна происхождения
Morocco