STMicroelectronics Transistor, -500 mA PNP, -300 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 486-4577Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJE350
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

-500mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

-300V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

300V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

20.8W

Полярность транзистора

PnP

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

30

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

3V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.9 mm

Материал каски/сварочной маски

27.5мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJE350G Транзистор
тг 174,33Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 050,45

тг 210,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, -500 mA PNP, -300 V, 3-Pin SOT-32

тг 1 050,45

тг 210,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, -500 mA PNP, -300 V, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 210,09тг 1 050,45
25 - 45тг 147,51тг 737,55
50 - 95тг 143,04тг 715,20
100 - 245тг 98,34тг 491,70
250+тг 93,87тг 469,35
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJE350G Транзистор
тг 174,33Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

-500mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

-300V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

300V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

20.8W

Полярность транзистора

PnP

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

30

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

3V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.9 mm

Материал каски/сварочной маски

27.5мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJE350G Транзистор
тг 174,33Each (In a Pack of 20) (ex VAT)