STMicroelectronics MJE350 Транзистор

Код товара RS: 168-6254Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJE350
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

20,8 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MJE350 Транзистор

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics MJE350 Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

20,8 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.