STMicroelectronics Transistor, 500 mA NPN, 300 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 714-0997Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJE340
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

500mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

300V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

300V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.8W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

30

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

3V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.9 mm

Материал каски/сварочной маски

27.5мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 743,30

тг 174,33 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 500 mA NPN, 300 V, 3-Pin SOT-32
Select packaging type

тг 1 743,30

тг 174,33 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 500 mA NPN, 300 V, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 174,33тг 1 743,30
50 - 90тг 169,86тг 1 698,60
100 - 190тг 116,22тг 1 162,20
200 - 490тг 111,75тг 1 117,50
500+тг 111,75тг 1 117,50

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

500mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

300V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

300V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

2.8W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

30

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

3V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.9 mm

Материал каски/сварочной маски

27.5мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.