STMicroelectronics MJE340 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2,8 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
3 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2,8 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
3 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.