STMicroelectronics MJE3055T Транзистор

Код товара RS: 168-6073Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJE3055T
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

10A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

60V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

70V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

5

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Максимальная частота перехода (ft)

2MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

29.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MJE3055T Транзистор

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics MJE3055T Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

10A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

60V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

70V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

75W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

5

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Максимальная частота перехода (ft)

2MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

29.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.