STMicroelectronics MJE3055T Транзистор

Код товара RS: 168-6073Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJE3055T
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

70 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

2 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

9.15 x 10.4 x 4.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MJE3055T Транзистор

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics MJE3055T Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

70 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

2 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

9.15 x 10.4 x 4.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.