STMicroelectronics MJD45H11T4 Transistor, 8 A PNP, 80 V, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 686-7907Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJD45H11T4Distrelec Article No.: 304-43-885
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

8A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

20W

Полярность транзистора

PnP

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

40

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.1 mm

Материал каски/сварочной маски

2.38мм

Длина

6.7мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

PNP Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 235,00

тг 223,50 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics MJD45H11T4 Transistor, 8 A PNP, 80 V, 3-Pin DPAK
Select packaging type

тг 2 235,00

тг 223,50 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics MJD45H11T4 Transistor, 8 A PNP, 80 V, 3-Pin DPAK

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 223,50тг 2 235,00
50 - 90тг 219,03тг 2 190,30
100 - 240тг 147,51тг 1 475,10
250 - 490тг 147,51тг 1 475,10
500+тг 143,04тг 1 430,40
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

8A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

20W

Полярность транзистора

PnP

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

40

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.1 mm

Материал каски/сварочной маски

2.38мм

Длина

6.7мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

PNP Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать