Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.4 x 6.6 x 6.2мм
Информация о товаре
PNP Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
10 - 40 | P.O.A. |
50 - 90 | P.O.A. |
100 - 240 | P.O.A. |
250 - 490 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
20 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.4 x 6.6 x 6.2мм
Информация о товаре
PNP Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.