STMicroelectronics MJD31CT4 Транзистор

Код товара RS: 165-7771Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJD31CT4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

15W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальная частота перехода (ft)

250MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.1 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MJD31C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MJD31CT4 Транзистор

P.O.A.

STMicroelectronics MJD31CT4 Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

15W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальная частота перехода (ft)

250MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.1 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MJD31C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.