STMicroelectronics MJD31CT4 Transistor, 3 A NPN, 100 V, 3-Pin DPAK
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
15W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
10
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальная частота перехода (ft)
250MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
10.1 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
MJD31C
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 950,20
тг 147,51 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 2 950,20
тг 147,51 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 147,51 | тг 2 950,20 |
| 100 - 180 | тг 107,28 | тг 2 145,60 |
| 200 - 380 | тг 107,28 | тг 2 145,60 |
| 400 - 980 | тг 102,81 | тг 2 056,20 |
| 1000+ | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-252
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
15W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
10
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальная частота перехода (ft)
250MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
10.1 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
MJD31C
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.