STMicroelectronics MJD122T4 NPN Darlington Transistor, 16 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 686-8130Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJD122T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

16 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Высота

2.4мм

Ширина

6.2мм

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

тг 3 576,00

тг 178,80 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

STMicroelectronics MJD122T4 NPN Darlington Transistor, 16 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
Select packaging type

тг 3 576,00

тг 178,80 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

STMicroelectronics MJD122T4 NPN Darlington Transistor, 16 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 178,80тг 3 576,00
100 - 180тг 120,69тг 2 413,80
200 - 380тг 116,22тг 2 324,40
400 - 980тг 116,22тг 2 324,40
1000+тг 93,87тг 1 877,40
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

16 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.6мм

Высота

2.4мм

Ширина

6.2мм

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать