STMicroelectronics M93C66-WMN6TP Последовательная память EEPROM

Brand

Объем памяти

4kB

Тип продукции

Последовательная EEPROM

Тип интерфейса

Последовательный, Microwire

Корпус

SOIC

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальная частота синхронизации

2MHz

Организация

256 x 16/512 x 8 Bit

Минимальное напряжение питания

2.5V

Максимальная поддерживаемая емкость памяти

5.5V

Количество бит на слово

16

Минимальная рабочая температура

-40°C

Максимальная рабочая температура

85°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

6.2 mm

Длина

5мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Количество слов

256

Хранение данных

200year

Ток питания

1.5mA

Максимальное время произвольного доступа

200ns