STMicroelectronics M93C66-WMN6P Последовательная память EEPROM

Код товара RS: 394-324PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: M93C66-WMN6P
brand-logo
Просмотреть все в EEPROM

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

4Кбит

Тип интерфейса

Последовательный, Microwire

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Организация

256 x 16-разрядный, 512 x 8-разрядный

Минимальное рабочее напряжение питания

2,5 В

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Программирующее напряжение

2.5 → 5.5V

Размеры

4.9 x 3.9 x 1.25мм

Максимальное время произвольного доступа

200нс

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Сохранение данных

40г.

Информация о товаре

Electrically Erasable PROM Serial Microwire, STMicroelectronics

EEPROM Serial Access - STMicroelectronics

Вас может заинтересовать

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics M93C66-WMN6P Последовательная память EEPROM
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics M93C66-WMN6P Последовательная память EEPROM

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

4Кбит

Тип интерфейса

Последовательный, Microwire

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Организация

256 x 16-разрядный, 512 x 8-разрядный

Минимальное рабочее напряжение питания

2,5 В

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Программирующее напряжение

2.5 → 5.5V

Размеры

4.9 x 3.9 x 1.25мм

Максимальное время произвольного доступа

200нс

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Сохранение данных

40г.

Информация о товаре

Electrically Erasable PROM Serial Microwire, STMicroelectronics

EEPROM Serial Access - STMicroelectronics

Вас может заинтересовать