STMicroelectronics M93C46-WMN6TP Последовательная память EEPROM

Код товара RS: 165-7735Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: M93C46-WMN6TP
brand-logo
Просмотреть все в EEPROM

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

1Кбит

Тип интерфейса

Последовательный, Microwire

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Организация

128 x 8-разрядный, 64 x 16-разрядный

Минимальное рабочее напряжение питания

2,5 В

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Программирующее напряжение

2.5 → 5.5V

Количество бит на слово

8 bit,16bit

Размеры

4.9 x 3.9 x 1.25мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Максимальное время произвольного доступа

200нс

Сохранение данных

200г.

Количество слов

128,64

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Информация о товаре

Electrically Erasable PROM Serial Microwire, STMicroelectronics

EEPROM Serial Access - STMicroelectronics

P.O.A.

STMicroelectronics M93C46-WMN6TP Последовательная память EEPROM

P.O.A.

STMicroelectronics M93C46-WMN6TP Последовательная память EEPROM

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

1Кбит

Тип интерфейса

Последовательный, Microwire

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Организация

128 x 8-разрядный, 64 x 16-разрядный

Минимальное рабочее напряжение питания

2,5 В

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Программирующее напряжение

2.5 → 5.5V

Количество бит на слово

8 bit,16bit

Размеры

4.9 x 3.9 x 1.25мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Максимальное время произвольного доступа

200нс

Сохранение данных

200г.

Количество слов

128,64

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Информация о товаре

Electrically Erasable PROM Serial Microwire, STMicroelectronics

EEPROM Serial Access - STMicroelectronics