STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount

Код товара RS: 330-362Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: GH50H65DRB2-7AG
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

108 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

385 Вт

Тип корпуса

H2PAK-7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

108 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

385 Вт

Тип корпуса

H2PAK-7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Страна происхождения

China