STMicroelectronics ESM3030DV NPN Darlington Pair, 100 A 300 V HFE:300, 4-Pin ISOTOP

Код товара RS: 686-8164Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: ESM3030DV
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Тип корпуса

ISOTOP

Тип монтажа

Монтаж на панель

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

3 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.2 V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Высота

9.1мм

Ширина

25.5мм

Размеры

38.2 x 25.5 x 9.1мм

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics ESM3030DV NPN Darlington Pair, 100 A 300 V HFE:300, 4-Pin ISOTOP

P.O.A.

STMicroelectronics ESM3030DV NPN Darlington Pair, 100 A 300 V HFE:300, 4-Pin ISOTOP
Информация о наличии не успела загрузиться

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 1P.O.A.
2 - 4P.O.A.
5 - 9P.O.A.
10 - 19P.O.A.
20+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Тип корпуса

ISOTOP

Тип монтажа

Монтаж на панель

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

3 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.2 V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Высота

9.1мм

Ширина

25.5мм

Размеры

38.2 x 25.5 x 9.1мм