Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Тип корпуса
ISOTOP
Тип монтажа
Монтаж на панель
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
3 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.2 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
38.2мм
Высота
9.1мм
Ширина
25.5мм
Размеры
38.2 x 25.5 x 9.1мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 1 | P.O.A. |
2 - 4 | P.O.A. |
5 - 9 | P.O.A. |
10 - 19 | P.O.A. |
20+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Тип корпуса
ISOTOP
Тип монтажа
Монтаж на панель
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
3 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.2 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
38.2мм
Высота
9.1мм
Ширина
25.5мм
Размеры
38.2 x 25.5 x 9.1мм