Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Максимальное напряжение фиксации
13.2V
Минимальное пробивное напряжение
6.9V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
QFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
6.3V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
1100W
Максимальный пиковый импульсный ток
80A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
1.7 x 1.1 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.55мм
Ширина
1.1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
200нА
Длина
1.7мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Максимальное напряжение фиксации
13.2V
Минимальное пробивное напряжение
6.9V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
QFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
6.3V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
1100W
Максимальный пиковый импульсный ток
80A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
1.7 x 1.1 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.55мм
Ширина
1.1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
200нА
Длина
1.7мм