Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
12V
Минимальное пробивное напряжение
6.9V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD882T
Максимальное обратное напряжение стабилизации
6.3V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
300W
Максимальный пиковый импульсный ток
30A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
1 x 0.6 x 0.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.4мм
Ширина
0.6мм
Максимальный обратный ток утечки
300нА
Длина
1мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
12000
P.O.A.
12000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
12V
Минимальное пробивное напряжение
6.9V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD882T
Максимальное обратное напряжение стабилизации
6.3V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
300W
Максимальный пиковый импульсный ток
30A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
1 x 0.6 x 0.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.4мм
Ширина
0.6мм
Максимальный обратный ток утечки
300нА
Длина
1мм
Страна происхождения
China