Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsКонфигурация диода
Матрица
Тип направления
Однонаправленный
Максимальное напряжение фиксации
41V
Минимальное пробивное напряжение
23.3V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
QFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
22V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
1400W
Максимальный пиковый импульсный ток
35A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
1.6 x 1 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.6мм
Высота
0.55мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
200нА
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsКонфигурация диода
Матрица
Тип направления
Однонаправленный
Максимальное напряжение фиксации
41V
Минимальное пробивное напряжение
23.3V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
QFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
22V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
1400W
Максимальный пиковый импульсный ток
35A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
1.6 x 1 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.6мм
Высота
0.55мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
200нА