STMicroelectronics BUTW92 Транзистор

Код товара RS: 103-1438Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BUTW92
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

60A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

250V

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

500V

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

7V

Минимальная рабочая температура

0°C

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

6

Полярность транзистора

NPN

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

180W

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

34.6мм

Длина

15.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

5.3 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics BUTW92 Транзистор

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics BUTW92 Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

60A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

250V

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

500V

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

7V

Минимальная рабочая температура

0°C

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

6

Полярность транзистора

NPN

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

180W

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

34.6мм

Длина

15.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

5.3 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.