STMicroelectronics BUTW92 Транзистор

Код товара RS: 103-1438Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BUTW92
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

250 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

180 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

6

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

500 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

20.3 x 15.9 x 5.3мм

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics BUTW92 Транзистор

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics BUTW92 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

250 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

180 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

6

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

500 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

20.3 x 15.9 x 5.3мм

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.