Transistor Bipolar NPN 125V 50A TO3
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
125 В
Тип корпуса
TO-3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база
200 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Размеры
8.7 x 39.5 x 26.2мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
125 В
Тип корпуса
TO-3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база
200 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Размеры
8.7 x 39.5 x 26.2мм