STMicroelectronics BUL58D Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
450 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
85 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
800 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
450 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
85 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
800 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.