STMicroelectronics Transistor, 5 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 810-7376PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BUL38D
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

5A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

800V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

800V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

80W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

12

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

28.9мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

BUL38D

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics BUL38D Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 5 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 5 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics BUL38D Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

5A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

800V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

800V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

80W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

12

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

28.9мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

BUL38D

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics BUL38D Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)