STMicroelectronics BUL38D NPN Transistor, 5 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
800 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
10
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
800 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.