STMicroelectronics BUL381D Транзистор

Код товара RS: 145-8849Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BUL381D
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

800 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

8

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics BUL381D Транзистор

75

Доступно в кратности 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics BUL381D Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

75

Доступно в кратности 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

800 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

8

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.