STMicroelectronics Transistor, 4 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 168-5846Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BUL216
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

4A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

800V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

1600V

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Полярность транзистора

NPN

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

9W

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

29.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Transistor, 4 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics Transistor, 4 A NPN, 800 V, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

4A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

800V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

1600V

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

10

Полярность транзистора

NPN

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

9W

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

29.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.