STMicroelectronics BUL128D-B NPN Transistor, 4 A, 400 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 686-8048Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BUL128D-B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

9.15 x 10.4 x 4.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 743,30

тг 174,33 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics BUL128D-B NPN Transistor, 4 A, 400 V, 3-Pin TO-220
Select packaging type

тг 1 743,30

тг 174,33 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics BUL128D-B NPN Transistor, 4 A, 400 V, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 174,33тг 1 743,30
50 - 90тг 169,86тг 1 698,60
100 - 240тг 116,22тг 1 162,20
250 - 490тг 111,75тг 1 117,50
500+тг 111,75тг 1 117,50

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

9.15 x 10.4 x 4.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.