STMicroelectronics BU931T NPN Darlington Transistor, 10 A 400 V HFE:300, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 829-4020Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BU931T
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,5 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,8 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.5mA

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Ширина

4.6мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics BU931T NPN Darlington Transistor, 10 A 400 V HFE:300, 3-Pin TO-220
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics BU931T NPN Darlington Transistor, 10 A 400 V HFE:300, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,5 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,8 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.5mA

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Ширина

4.6мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.