STMicroelectronics BU931P Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,8 В
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,8 В
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.