STMicroelectronics BU508AW Transistor, 8 A NPN, 700 V, 3-Pin TO-247

Код товара RS: 714-6746Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BU508AW
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

8A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

700V

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

9V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

125W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

5

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 047,26

тг 1 023,63 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics BU508AW Transistor, 8 A NPN, 700 V, 3-Pin TO-247
Select packaging type

тг 2 047,26

тг 1 023,63 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics BU508AW Transistor, 8 A NPN, 700 V, 3-Pin TO-247

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 023,63тг 2 047,26
10 - 18тг 858,24тг 1 716,48
20 - 38тг 844,83тг 1 689,66
40 - 98тг 826,95тг 1 653,90
100+тг 733,08тг 1 466,16

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

8A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

700V

Корпус

TO-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

9V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

125W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

5

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

9V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.