STMicroelectronics BDX34C Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
10A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
750
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Полярность транзистора
PnP
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.5V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BDX34C
Максимальный запирающий ток коллектора
200μA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 1 788,00
тг 178,80 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 788,00
тг 178,80 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 178,80 | тг 1 788,00 |
| 50 - 90 | тг 174,33 | тг 1 743,30 |
| 100 - 190 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 200 - 490 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 500+ | тг 111,75 | тг 1 117,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор Дарлингтона
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
10A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
100V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
750
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
70W
Полярность транзистора
PnP
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.5V
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.6 mm
Материал каски/сварочной маски
9.15мм
Длина
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BDX34C
Максимальный запирающий ток коллектора
200μA
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.