STMicroelectronics BDW94C PNP Darlington Transistor, 12 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 485-9058Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BDW94C
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.1mA

Высота

9.15мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics BDW94C PNP Darlington Transistor, 12 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics BDW94C PNP Darlington Transistor, 12 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 20P.O.A.
25 - 45P.O.A.
50 - 95P.O.A.
100 - 245P.O.A.
250+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.1mA

Высота

9.15мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.