STMicroelectronics BD911 Транзистор

Код товара RS: 168-6044Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD911
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

15A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

15

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Максимальная частота перехода (ft)

3MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

29.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics BD911 Транзистор

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics BD911 Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

15A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

90W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

15

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Максимальная частота перехода (ft)

3MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

29.75мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.