STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 4 A 100 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 313-3204Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD681
brand-logo
Просмотреть все в Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

750

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.7 mm

Материал каски/сварочной маски

10.8мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BD681

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 643,68

тг 643,68 Each (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 4 A 100 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 643,68
2тг 1 287,36
3тг 1 931,04
4тг 2 574,72
5тг 3 218,40
6тг 3 862,08
7тг 4 505,76
8тг 5 149,44
9тг 5 793,12
10тг 3 129,00
11тг 3 441,90
12тг 3 754,80
13тг 4 067,70
14тг 4 380,60
15тг 4 693,50

тг 643,68

тг 643,68 Each (ex VAT)

STMicroelectronics 1 Darlington Transistor NPN, 4 A 100 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 643,68
2тг 1 287,36
3тг 1 931,04
4тг 2 574,72
5тг 3 218,40
6тг 3 862,08
7тг 4 505,76
8тг 5 149,44
9тг 5 793,12
10тг 3 129,00
11тг 3 441,90
12тг 3 754,80
13тг 4 067,70
14тг 4 380,60
15тг 4 693,50

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 643,68
10 - 49тг 312,90
50 - 99тг 286,08
100 - 249тг 192,21
250+тг 187,74

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

Транзистор Дарлингтона

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

4A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

100V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

750

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

40W

Полярность транзистора

NPN

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.5V

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.7 mm

Материал каски/сварочной маски

10.8мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BD681

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.