STMicroelectronics BD239C Transistor, 2 A NPN, 115 V, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
2A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
115V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
NPN
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
15
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.4 mm
Длина
10мм
Материал каски/сварочной маски
15.25мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
2A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
115V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
NPN
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
100V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
2W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
15
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
4.4 mm
Длина
10мм
Материал каски/сварочной маски
15.25мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China