Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
тг 254,79
тг 254,79 Each (ex VAT)
1
тг 254,79
тг 254,79 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | тг 254,79 |
10 - 49 | тг 183,27 |
50 - 99 | тг 174,33 |
100 - 249 | тг 120,69 |
250+ | тг 111,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.