STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 80 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 314-1823Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD139
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

1.25W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

25

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

7.8 mm

Длина

27.05mm

Материал каски/сварочной маски

2.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
onsemi Transistor, 1.5 A NPN, 45 V, 3-Pin TO-225
тг 800,13Each (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 232,44

тг 232,44 Each (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 80 V, 3-Pin SOT-32

тг 232,44

тг 232,44 Each (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 80 V, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 232,44
10 - 49тг 165,39
50 - 99тг 160,92
100 - 249тг 111,75
250+тг 107,28
Вас может заинтересовать
onsemi Transistor, 1.5 A NPN, 45 V, 3-Pin TO-225
тг 800,13Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

1.25W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

25

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

7.8 mm

Длина

27.05mm

Материал каски/сварочной маски

2.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
onsemi Transistor, 1.5 A NPN, 45 V, 3-Pin TO-225
тг 800,13Each (ex VAT)