STMicroelectronics BD139 NPN Transistor, 3 A, 80 V, 3-Pin SOT-32
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 49 | P.O.A. |
| 50 - 99 | P.O.A. |
| 100 - 249 | P.O.A. |
| 250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.