STMicroelectronics BD139 NPN Transistor, 3 A, 80 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 314-1823Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD139
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

25

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 232,44

тг 232,44 Each (ex VAT)

STMicroelectronics BD139 NPN Transistor, 3 A, 80 V, 3-Pin SOT-32

тг 232,44

тг 232,44 Each (ex VAT)

STMicroelectronics BD139 NPN Transistor, 3 A, 80 V, 3-Pin SOT-32
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 232,44
10 - 49тг 165,39
50 - 99тг 160,92
100 - 249тг 111,75
250+тг 107,28
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

25

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать