STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 45 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 714-0483Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD135
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

45V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

45V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

1.25W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

25

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.9 mm

Материал каски/сварочной маски

27.5мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 950,20

тг 147,51 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 45 V, 3-Pin SOT-32
Select packaging type

тг 2 950,20

тг 147,51 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 45 V, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 147,51тг 2 950,20
100 - 180тг 84,93тг 1 698,60
200 - 380тг 84,93тг 1 698,60
400 - 980тг 84,93тг 1 698,60
1000+тг 62,58тг 1 251,60

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

45V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

45V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

1.25W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

25

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.9 mm

Материал каски/сварочной маски

27.5мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.