STMicroelectronics BCP56-16 Transistor, 1 A NPN, 80 V, 4-Pin SOT-223

Код товара RS: 795-8959Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BCP56-16Distrelec Article No.: 304-45-881
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

1A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

SOT-223

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

1.6W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

25

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

4

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

7.3 mm

Материал каски/сварочной маски

1.8мм

Длина

7.3мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 687,75

тг 147,51 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

STMicroelectronics BCP56-16 Transistor, 1 A NPN, 80 V, 4-Pin SOT-223
Select packaging type

тг 3 687,75

тг 147,51 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

STMicroelectronics BCP56-16 Transistor, 1 A NPN, 80 V, 4-Pin SOT-223

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 147,51тг 3 687,75
50 - 75тг 143,04тг 3 576,00
100 - 475тг 80,46тг 2 011,50
500 - 575тг 80,46тг 2 011,50
600+тг 58,11тг 1 452,75
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

1A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Корпус

SOT-223

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

1.6W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

25

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

4

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

7.3 mm

Материал каски/сварочной маски

1.8мм

Длина

7.3мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать