Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
0.95 x 2.9 x 1.3мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
25 - 100 | P.O.A. |
125 - 225 | P.O.A. |
250 - 475 | P.O.A. |
500 - 1225 | P.O.A. |
1250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
0.95 x 2.9 x 1.3мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.