STMicroelectronics 2STN1360 Transistor, 3 A NPN, 60 V, 4-Pin SOT-223
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
60V
Корпус
SOT-223
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
NPN
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.6W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
80
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Минимальная рабочая температура
-60°C
Число контактов
4
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.4 mm
Длина
2.29мм
Материал каски/сварочной маски
4.4мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
60V
Корпус
SOT-223
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
NPN
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.6W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
80
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Минимальная рабочая температура
-60°C
Число контактов
4
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.4 mm
Длина
2.29мм
Материал каски/сварочной маски
4.4мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China