Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
130 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
25 - 25 | P.O.A. |
50 - 75 | P.O.A. |
100 - 475 | P.O.A. |
500 - 975 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
130 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.